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Schlagwort = Galliumphosphid und Sammlung = ULB Düsseldorf
Feldangepaßte Eingangswellenleiter für verlustarme Faser-Chip-Verbindungen im InGaAsP InP-Materialsystem
Pohl, Alexandre De A. P.
Als Ms. gedr., Düsseldorf : VDI-Verl., 1994
Wachstum von OEIC-Schichtstrukturen im System InP/InGaAsP mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE)
Eisenbach, Andreas
Als Ms. gedr., Düsseldorf : VDI-Verl., 1997
Wellenausbreitung in komplexen integriert optischen Grundwellentransformatoren auf der Basis von Indium-Phosphid
Kunz, Albrecht
Als Ms. gedr., Düsseldorf : VDI-Verl., 1995