Suchergebnis

• Entwurf und Technologie von Heterostrukturfeldeffekttransistoren auf InP-Basis mit hohem Verstärkungsbandbreiteprodukt bei hoher Leistungsverstärkung Strähle, Silvia Als Ms. gedr., Düsseldorf : VDI-Verl., 1996

• Feldangepaßte Eingangswellenleiter für verlustarme Faser-Chip-Verbindungen im InGaAsP InP-Materialsystem Pohl, Alexandre De A. P. Als Ms. gedr., Düsseldorf : VDI-Verl., 1994

• Indiumphosphid-Strukturen aus der metallorganischen Gasphasenepitaxie für optoelektronische Bauelemente Zwinge, Johannes Gregor Als Ms. gedr., Düsseldorf : VDI-Verl., 1994

• MOVPE-Schichten aus III-V-Halbleitern auf (001)-Si-Substraten Tang, Guang-Ping Als Ms. gedr., Düsseldorf : VDI-Verl., 1994

• Optisch gesteuerte Koplanarleitungen als III-V-Halbleiter-Bauelemente für die Mikrowellen-Signalverarbeitung Kremer, Ralf Als Ms. gedr., Düsseldorf : VDI-Verl., 1997

• Spektroskopische Ellipsometrie an III/V-Halbleiterstrukturen Iber, Hartmut Als Ms. gedr., Düsseldorf : VDI-Verl., 1996

• Wachstum von OEIC-Schichtstrukturen im System InP/InGaAsP mittels metallorganischer Gasphasenepitaxie (MOVPE) Eisenbach, Andreas Als Ms. gedr., Düsseldorf : VDI-Verl., 1997

• Wellenausbreitung in komplexen integriert optischen Grundwellentransformatoren auf der Basis von Indium-Phosphid Kunz, Albrecht Als Ms. gedr., Düsseldorf : VDI-Verl., 1995