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Titelaufnahme
Titel
Ein physikalisch begründetes SOI-Transistermodell für die Schaltungssimulation / Stefan Seitz
Verfasser
Seitz, Stefan
Erschienen
Düsseldorf : VDI-Verl.,
1997
Ausgabe
Als Ms. gedr.
Umfang
X, 197 S. : Ill., graph. Darst.
Hochschulschrift
Zugl.: München, Fraunhofer Inst. für Festkörpertechnologie, Diss.
Serie
Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 9, Elektronik ; 243
Schlagwörter
MOS-FET
/
SOI-Technik
/
Elektrische Eigenschaft
ISBN
3-18-324309-1
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Ein physikalisch begründetes SOI-Transistermodell für die Schaltungssimulation [0,51 mb]
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