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Titelaufnahme

    Titel
    Ein physikalisch begründetes SOI-Transistermodell für die Schaltungssimulation / Stefan Seitz
    VerfasserSeitz, Stefan
    ErschienenDüsseldorf : VDI-Verl., 1997
    Ausgabe
    Als Ms. gedr.
    UmfangX, 197 S. : Ill., graph. Darst.
    HochschulschriftZugl.: München, Fraunhofer Inst. für Festkörpertechnologie, Diss.
    Serie
    Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 9, Elektronik ; 243
    SchlagwörterMOS-FET / SOI-Technik / Elektrische Eigenschaft
    ISBN3-18-324309-1
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     hbz-Verbundkatalog
    Archiv METS (OAI-PMH)
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