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Titelaufnahme
Titel
Abscheidung Phosphordotierter SiO 2 -Schichten zur Passivierung von optoelektronisch-integrierten Empfängern / Rolf Riemenschneider
Verfasser
Riemenschneider, Rolf
Erschienen
Düsseldorf : VDI-Verl.,
1996
Ausgabe
Als Ms. gedr.
Umfang
VII, 185 S. : graph. Darst.
Hochschulschrift
Zugl.: Darmstadt, Techn. Hochsch., Diss.
Serie
Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 9, Elektronik ; 241
Schlagwörter
Optoelektronisches Bauelement
/
Integrierte Optoelektronik
/
Drei-Fünf-Halbleiter
/
Halbleitersubstrat
/
Siliciumdioxid
/
CVD-Verfahren
ISBN
3-18-324109-9
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Abscheidung Phosphordotierter SiO 2 -Schichten zur Passivierung von optoelektron [0,29 mb]
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