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Titelaufnahme
Titel
Entwurf und Technologie von Heterostrukturfeldeffekttransistoren auf InP-Basis mit hohem Verstärkungsbandbreiteprodukt bei hoher Leistungsverstärkung / Silvia Strähle
Verfasser
Strähle, Silvia
Erschienen
Düsseldorf : VDI-Verl.,
1996
Ausgabe
Als Ms. gedr.
Umfang
XI, 143 S. : graph. Darst.
Serie
Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 9, Elektronik ; 234
Schlagwörter
Indiumphosphid
/
HEMT
ISBN
3-18-323409-2
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Entwurf und Technologie von Heterostrukturfeldeffekttransistoren auf InP-Basis m [0,51 mb]
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