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Titelaufnahme
Titel
AlGaInAs-InP-Molekularstrahlepitaxie für Metall-Halbleiter-Metall-Photodetektoren und -Modulatoren / Thomas Kummetz
Verfasser
Kummetz, Thomas
Erschienen
Düsseldorf : VDI-Verl.,
1996
Ausgabe
Als Ms. gedr.
Umfang
VIII, 168 S. : graph. Darst.
Hochschulschrift
Zugl.: Ulm, Univ., Diss.
Serie
Fortschritt-Berichte VDI : Reihe 9, Elektronik ; 227
Schlagwörter
Aluminiumarsenid
/
Galliumarsenid
/
Indiumarsenid
/
Mischkristall
/
Molekularstrahlepitaxie
/
Optoelektronisches Bauelement
ISBN
3-18-322709-6
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AlGaInAs-InP-Molekularstrahlepitaxie für Metall-Halbleiter-Metall-Photodetektore [0,49 mb]
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