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Oberflächentopologien von GaAs(001)-Schichten und ihr Wachstum während der Flüss...
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Druckschrift
Oberflächentopologien von GaAs(001)-Schichten und ihr Wachstum während der Flüssigphasenepitaxie / Tamas Marek
Entstehung
Düsseldorf
1996
Rechtsdrehung 90°
Linksdrehung 90°
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