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ULB Düsseldorf
Feldangepaßte Eingangswellenleiter für verlustarme Faser-Chip-Verbindungen im InGaAsP InP-Materialsystem
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Druckschrift
Feldangepaßte Eingangswellenleiter für verlustarme Faser-Chip-Verbindungen im InGaAsP InP-Materialsystem / Alexandre de A. P. Pohl
Entstehung
Düsseldorf
1994
Rechtsdrehung 90°
Linksdrehung 90°
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